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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2685 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | GaAs HEMT |
| 中文描述： | 砷化鎵遷移率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2SK2685 |
2SK2685
4
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Drain Current I
D
(mA)
F
y
4
8
12
16
20
V
DS
= 3 V
Pulse Test
20
40
60
80
100
0
3 V
3 V
1 V
Associated Gain vs. Drain Current
30
20
10
Drain Current I
D
(mA)
0
10
20
30
A
V
DS
= 1 V
f = 2 GHz
f = 900 MHz
Minimum Noise Figure vs. Drain Current
3
2
1
Drain Current I
D
(mA)
0
10
20
30
M
3 V
3 V
1 V
V
DS
= 1 V
f = 2 GHz
f = 900 MHz
Associated Gain vs. Drain to Source Voltage
30
20
10
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
0
2
4
6
8
10
A
2 GHz
f = 900 MHz
I
D
= 10 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2701 | MOSFET |
| 2SK2702 | MOSFET |
| 2SK2703 | MOSFET |
| 2SK2704 | MOSFET |
| 2SK2705 | MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2687-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5 Milliohms;ID +/-50A;TO-220;PD 60W;VGS +/ |
| 2SK2689-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2690-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.5 Milliohms;ID +/-80A;TO-3P;PD 125W;VGS +/ |
| 2SK2690-01SC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2691-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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