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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2685 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | GaAs HEMT |
| 中文描述： | 砷化鎵遷移率晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 2SK2685 |
2SK2685
3
0
200
150
100
50
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C200
150
100
50
Maximum Channel Power
Dissipation Curve
Typical Output Characteristics
20
16
12
8
4
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
0
1
2
3
4
5
D
D
V
GS
= –0.9 V
–0.8 V
–0.7 V
–0.6 V
–0.5 V
–0.4 V
Pulse Test
–0.3 V
–0.1 V
Typical Transfer Characteristics
100
80
60
40
20
–2.0
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
0
D
D
V
= 3 V
Pulse Test
Forward Transfer Admittance vs.
Gate to Source Voltage
100
80
60
40
20
0
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
F
y
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
0
V
DS
= 3 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2701 | MOSFET |
| 2SK2702 | MOSFET |
| 2SK2703 | MOSFET |
| 2SK2704 | MOSFET |
| 2SK2705 | MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2687-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5 Milliohms;ID +/-50A;TO-220;PD 60W;VGS +/ |
| 2SK2689-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2690-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.5 Milliohms;ID +/-80A;TO-3P;PD 125W;VGS +/ |
| 2SK2690-01SC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2691-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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