參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2112
元件分類： JFETs
英文描述： 1 A, 100 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 59K
代理商： 2SK2112
2SK2112
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
1.5
0.5
0.01
0.1
1
10
ID - Drain Current - A
SWITCHING CHARACTERISTICS
100
20
0.05
0.2
1
5
ID - Drain Current - A
td(on)
,t
r,
t
d(off)
,t
f-
Switching
Time
-
ns
1
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
1
0.5
0
5
10
20
VGS - Gate to Source Voltage - V
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-State
Resistance
-
ID = 0.5 A
25 C
–25 C
0
VGS = 10 V
15
C
iss
,C
oss
,C
rss
-
Capacitance
-
pF
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
500
50
0.1
0.5
10
100
VDS - Drain to Source Voltage - V
VGS = 0
f = 1 MHz
20
50
0.2
1
2
5
200
100
20
10
Crss
50
2
5
0.1
0.5
2
VDD = 25 V
VGS(on) = 10 V
td(on)
tr
tf
ISD
-
Diode
Forward
Current
-
A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTGE
1
0.01
0.2
0.4
0.7
1
VSD - Source to Drain Voltage - V
0.8
0.9
0.3
0.5
0.6
0.1
0.001
0.0001
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-State
Resistance
-
TA = 75 C
1
Ciss
Coss
10
td(off)
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2112-AZ 1 A, 100 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2115 1.5 ohm, POWER, FET
2SK2118 1.5 ohm, POWER, FET
2SK211 VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
2SK212D VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
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參數(shù)描述
2SK2112-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA
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2SK2113 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
2SK2114 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET
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