參數(shù)資料
型號： 2SK1058
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SK1058
2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
4
50
100
0
Case Temperature T
C
(°C)
150
50
C
Power vs. Temperature Derating
100
150
Maximum Safe Operation Area
D
D
10
20
50
1.0
2
5
100
10
20
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
5
500
0.5
200
0.2
I
D
max
(Continuous)
DCOpeaion(T
C
=25C
Ta = 25°C
PW=10m 1sho
PW=1s 1sho
2SK1056
2SK1057
2SK1058
Typical Output Characteristics
30
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
40
20
10
50
D
D
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 10 V
9
T
C
= 25°C
1
0
2
5
6
7
8
Pch = 100 W
4
Typical Transfer Characteristics
1.2
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
1.6
0.8
0.4
0
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
D
D
T
C
=–5C
7
V
DS
= 10 V
2
相關PDF資料
PDF描述
2SK0601(2SK601) 小信號デバイス － 小信號FET － MOS FET
2SK0614(2SK614) Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK0615(2SK615) 小信號デバイス － 小信號FET － MOS FET
2SK0620 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK0620(2SK620) 2SK0620 (2SK620) - N-Channel MOS FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK1058-E 功能描述:MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK1059 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK1059-Z(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk
2SK105A 制造商:n/a 功能描述:2SK105 TO92 N9H1D
2SK1060 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*