參數(shù)資料
型號： 2SK1058
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SK1058
2SK1056, 2SK1057, 2SK1058
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source
2SK1056
V
(BR)DSX
120
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= –10 V
breakdown voltage
2SK1057
140
2SK1058
160
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
15
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
V
DS(sat)
0.15
—
1.45
V
I
D
= 100 mA, V
DS
= 10 V
I
D
= 7 A, V
GD
= 0 *
1
Drain to source saturation
voltage
—
—
12
V
Forward transfer admittance
|yfs|
0.7
1.0
1.4
S
I
D
= 3 A, V
DS
= 10 V *
1
V
GS
= –5 V, V
DS
= 10 V,
f = 1 MHz
Input capacitance
Ciss
—
600
—
pF
Output capacitance
Coss
—
350
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
10
—
pF
Turn-on time
t
on
t
off
—
180
—
ns
V
DD
= 20 V, I
D
= 4 A,
Turn-off time
Note:
—
60
—
ns
1. Pulse test
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PDF描述
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參數(shù)描述
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