參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ687
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封裝： MP-3ZK, TO-252, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 161K
代理商： 2SJ687
Data Sheet D18719EJ2V0DS
5
2SJ687
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
R
D
S
(on)
-D
rain
to
S
ou
rc
eOn-s
tate
Resis
tance
-m
Ω
0
5
10
15
-75
-25
25
75
125
175
ID =
10 A
Pulsed
VGS =
2.5 V
4.5 V
Tch - Channel Temperature -
°C
C
is
s,
C
os
s,
C
rs
s
-Capac
itance
-p
F
100
1000
10000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Crss
Ciss
Coss
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
td(
on
),t
r,t
d(of
f),
t
f-
Switchi
ng
Time
-ns
10
100
1000
-0.1
-1
-10
-100
VDD =
10 V
VGS =
4.5 V
RG = 3
Ω
td(on)
tr
td(off)
tf
ID - Drain Current - A
V
DS
-
Drain
t
oSou
rce
V
oltage
-
V
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
102030
405060
0
-1
-2
-3
-4
-5
VDS
VGS
ID =
20 A
VDD =
16 V
10 V
4 V
QG - Gate Charge - nC
V
GS
-
Gate
to
Sou
rc
eVoltag
e-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
IF
-Dio
de
For
w
ard
Cu
rrent
-A
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1.5
-1
-0.5
0
Pulsed
4.5 V
2.5 V
VGS = 0 V
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
trr
-Rev
erse
R
ecov
ery
Time
-ns
10
100
1000
10000
-0.1
-1
-10
-100
di/dt =
100 A/μs
VGS = 0 V
IF - Diode Forward Current - A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ687-ZK-E2-AY 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SJ687-ZK-E1-AY 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SJ687-ZK-E2-AY 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK0601G 500 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2SK0620 100 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SJ687-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET P-CH -20V -20A TO-252 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ687-ZK-E2-AY 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SJ73 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | DUAL | 5MA I(DSS)
2SJ74 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:P CHANNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SJ74_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:Low Noise Audio Amplifier Applications
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