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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ666 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SMP, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 2SJ666 |
2SJ666
No.8591-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
6350
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
430
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
250
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
47
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
300
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
500
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
210
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--36A
110
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--36A
20
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--50V, VGS=--10V, ID=--36A
20
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--36A, VGS=0V
--0.98
--1.2
V
Package Dimensions
unit : mm
7513-002
7001-003
Switching Time Test Circuit
Avalanche Resistance Test Circuit
10.2
8.8
11.0
2.7
11.5
(9.4)
20.9
1.6
0.2
1.3
4.5
0.8
0.4
12
3
2.55
1.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --18A
RL=2.78
VDD= --50V
VOUT
2SJ666
VIN
0V
--10V
VIN
50
0V
--10V
≥50
RG
DUT
VDD
L
10.2
8.8
1.5MAX
2.7
9.9
3.0
0.2
1.3
4.5
0.8
1.35
0.4
1.4
1.2
2.55
0 to 0.3
12
3
2.55
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : SMP-FD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ668(2-7J1B) | 5 A, 60 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ669 | 5 A, 60 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ673 | 36 A, 60 V, 0.031 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SJ680 | 2.5 A, 200 V, 2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ687 | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SJ668(TE16L1,NQ) | 功能描述:MOSFET MOSFET P-Ch 60V 5A Rdson=0.17Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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