參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ609
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： DC / DC Converter Applications
中文描述： 直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 30K
代理商： 2SJ609
2SJ609
No.6671-3/4
A S O
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
D
DCoperaion
100
μ
s
1ms
10ms
<10
μ
s
IDP= --20A
--0.1
--1.0
2
3
5
7
--10
2
3
5
7
--100
2
3
5
7
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
--10
--100
--0.01
IT02602
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Tc=25
°
C
Single pulse
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT02597
IT02598
--0.0012 3
5 7-0.01
2 3
5 7--0.1
2 3
5 7
2 3
5 7
--1.0
0.01
0.1
10
1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.01
--0.1
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--10
F
y
f
y
fs
-- ID
VDS= --10V
75
°
C
T=-25
°
C
25
°
C
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
F
IF -- VSD
VGS= 0
-
°
C
2
°
C
0
10
100
--10
--20
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
--60
--30
--40
--50
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
C
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
IT02599
0
1
2
3
Total Gate Charge, Qg -- nC
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
VGS -- Qg
G
VDS= --10V
ID= --5A
IT02600
ID= --5A
1.0
10
100
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
--0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
--10
Drain Current, ID -- A
S
IT02601
td(on)
td(off)
tr
t
VDD= --30V
VGS= --10V
T=5
°
C
100
200
300
400
500
600
0
--60
0
--2
--4
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
200
300
400
500
600
100
Case Temperature, Tc --
°
C
RDS(on) -- Tc
RDS(on) -- VGS
S
O
S
O
Tc=25
°
C
IT02595
IT02596
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
160
140
ID= -1A, VGS= -4V
ID= -3A, VGS= -10V
ID= --1A --3A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ621 RF Bipolar Transistor; Collector Emitter Voltage, Vceo:600mV; Transistor Polarity:Dual P Channel; Power Dissipation:0.36W; C-E Breakdown Voltage:15V; DC Current Gain Min (hfe):20; Collector Current:200mA
2SJ624 Small Signal Diode; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:80V; Forward Current Avg Rectified, IF(AV):60mA; Forward Voltage Max, VF:1V; Vf Test Current:200mA; Power Dissipation, Pd:80mW; Package/Case:DO-7; Current Rating:60mA
2SJ625 T-NPN-SI HIGH CURRENT AMP
2SJ626 Small Signal Diode; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:30V; Forward Voltage Max, VF:1V; Vf Test Current:5mA; Power Dissipation, Pd:80mW; Package/Case:DO-7; Current Rating:150mA; Forward Current Max, If:150mA; Forward Voltage:1.0V
2SJ633 2SJ633
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參數(shù)描述
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2SJ610(Q) 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET P-CH 250V 2A 3-Pin (2+Tab) PW-Mold Bulk
2SJ610(TE16L1,NQ) 功能描述:MOSFET MOSFET P-Ch 250V 2A Rdson=2.55Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SJ610_06 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS Type Switching Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications
2SJ610_09 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type
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