參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ350
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P-Channel MOS FET
中文描述： 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SJ350
2SJ350
6
–10
–8
–6
–4
–2
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
–10 V
–5 V
V = 0, 5 V
Pulse Width PW (S)
N
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
Tc = 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
100 m
1
10
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
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PDF描述
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2SJ353 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SJ355 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
2SJ356 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
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參數(shù)描述
2SJ350-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
2SJ351 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon P-Channel MOS FET
2SJ351(E) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SJ351-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET
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