參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ246S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 53K
代理商： 2SJ246S
2SJ246(L), 2SJ246(S)
5
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
R
D
I = –5 A
Pulse test
0
S
–1 A
V = –4 V
–10 V
–1 A, –2 A
–5 A
–2 A
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
10
5
2
1
0.5
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
Drain Current I (A)
|
f
Pusle test
V = –10 V
Tc = 25°C
–25°C
75°C
F
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
200
100
50
20
10
–0.1 –0.2
Reverse Drain Current I (A)
–0.5
–1
–2
–5
–10
R
di/dt = 50 A/μs, Ta = 25°C
V = 0, Pulse test
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
r
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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