參數(shù)資料
型號： 2SJ246S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
中文描述： 硅P通道MOS FET的性（P溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SJ246S
2SJ246(L), 2SJ246(S)
3
40
30
20
10
0
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
P
Power vs. Temperature Derating
–50
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–30 –50
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
10μs
100μs
PW=10ms(1sho)
1ms
Operation in this area is
DS(on)
Ta = 25°C
Maximum Safe Operation Area
–10
–8
–6
–4
–2
0
–2
–4
–6
–8
DS
–10
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
–3 V
V = –2.5 V
–3.5 V
Pulse test
–4 V
–5 V
–6 V
–10V
Typical Output Characteristics
相關PDF資料
PDF描述
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2SJ268FD Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SJ268 P-Channel Silicon MOSFET for Ultrahigh-Speed Switching Applications(用于超高速轉換應用的P溝道MOSFET)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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