參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ243
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING
中文描述： P溝道MOS場效應(yīng)管的開關(guān)
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 61K
代理商： 2SJ243
2SJ243
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
R
D
130
I
D
- Drain Current - mA
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
–0.3
60
V
DS
- Gate to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
,
d
,
f
–6
I
D
- Drain Current - mA
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
I
S
–0.4
–200
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
0
30
10
1
0.5
–1
–10
500
25 C
T
A
= 150 C
–25 C
75 C
–0.5
–3
–10
–30
–60
100
50
V
= –4 V
Pulsed
200
100
20
10
50
–30
–50
–100
–300
V
DD
= – 5 V
V
GS
= – 5 V
R
in
= 10
–0.5 –0.6 –0.7 –0.8 –0.9 –1.0 –1.1 –1.2 –1.3
–100
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
V
GS
= 0
Pulsed
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
3
–1
–3
–10
–40
V
DS
= –5 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ246S Silicon P Channel MOS FET(P溝道MOSFET)
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