參數(shù)資料
型號： 2SD2663
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126ML, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 35K
代理商： 2SD2663
2SB1700 / 2SD2663
No.7380-3/4
5
1.0
5
2
3
7
--1000
--100
23
7
52
3
5
--1.0
5
2
3
7
--1000
--100
23
7
52
3
5
3
--1.0
5
2
3
5
7
1000
100
23
7
52
3
5
1000
100
23
7
52
3
5
1000
5
2
3
10000
7
2
5
2
3
7
hFE -- IC
Ta=120
°C
25°
C
--40
°C
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0
1.0
0.5
2.0
3.0
1.5
2.5
3.5
IC -- VBE
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
--0.4
--0.8
--1.2
--1.6
--2.0
--2.4
0
--1.0
--2.0
--3.0
--3.5
--2.5
--1.5
--0.5
--1000
--100
23
7
52
3
5
1000
5
2
3
10000
7
2
5
2
3
7
hFE -- IC
IT04735
VCE(sat) -- IC
IT04737
IT04736
IT04738
IC -- VBE
IT04733
IT04734
2SD2663
IC / IB=500
2SB1700
IC / IB=500
T
a=120
°C
25
°C
--40
°C
Ta=120
°C
25°
C
--40°
C
VBE(sat) -- IC
IT04739
VBE(sat) -- IC
IT04740
Ta= --40°C
25°C
120°C
Ta= --40°C
25°C
120°C
Ta= --40
°C
25
°C
120°C
2SD2663
VCE=3V
3
1.0
5
2
3
5
7
VCE(sat) -- IC
1000
100
23
7
53
5
2SB1700
VCE= --3V
2SD2663
VCE=3V
2SB1700
VCE= --3V
2SD2663
IC / IB=500
2SB1700
IC / IB=500
Ta= --40°C
25
°C
120°C
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
Collector Current, IC -- mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC -- mA
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- mA
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- mA
Collector
-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
CE
(sat)
-
V
Collector Current, IC -- mA
Base-to-Emitter
Saturation
V
oltage,
V
BE
(sat)
-
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2672T146 4000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2686 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2688LS 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD2695 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2701TL 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2670TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2671TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2672TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2673TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2674TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*