參數(shù)資料
型號： 2SD2663
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-126ML, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SD2663
2SB1700 / 2SD2663
No.7380-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE
VCE=(--)3V, IC=(--)1.5A
1500
4000
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)1.5A
20
MHz
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)3mA
(--1.0)0.9
(--)1.5
V
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)1.5A, IB=(--)3mA
(--)2.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)5mA, IE=0
(--)110
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)50mA, RBE=∞
(--)100
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
(0.8)0.7
s
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
(2.4)5.0
s
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
1.2
s
Specified Test Circuit (For PNP, the polarity is reversed.)
Electrical Connection
VBE= --5V
VCC=50V
INPUT
OUTPUT
100
F
470
F
50
RB
RL
50
VR
PW=50
s, Duty Cycle≤1%
500IB1= --500IB2=IC=1A
TUT
++
6k
200
2SB1700
C
E
B
6k
200
2SD2663
C
E
B
IC -- VCE
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
IT04729
0--2
--1
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0--2
--1
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
2SB1700
IB=0
--150
A
--250A
--200A
IC -- VCE
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
IT04731
IB=0
IT04732
--1.0mA
02
1
3456789
10
IC -- VCE
0
1
2
3
4
5
6
IB=0
1.0mA
1.5mA
IC -- VCE
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
IT04730
02
1
3456789
10
IB=0
150
A
200A
250
A
300A
350A
400A
450A
500A
2SB1700
2SD2663
From top
--5.0mA
--4.5mA
--4.0mA
--3.5mA
--3.0mA
--2.5mA
--2.0mA
From top
5.0mA
4.5mA
4.0mA
3.5mA
3.0mA
2.5mA
2.0mA
--1.5mA
--300A
--350A
--400A
--500A
--450A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collecotr
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collecotr
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collecotr
Current,
I
C
-
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collecotr
Current,
I
C
-
A
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PDF描述
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2SD2695 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SD2672TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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