參數(shù)資料
型號(hào)： 2SD2672T146
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 4000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TSMT3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 89K
代理商： 2SD2672T146
2SD2672
Transistors
Rev.A
1/2
Low frequency amplifier
2SD2672
Application
Low frequency amplifier
Driver
Features
1) A collector current is large. (4A)
2) VCE(sat) ≦ 250mV
At IC = 2A / IB = 40mA
External dimensions (Units : mm)
ROHM : TSMT3
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Abbreviated symbol : YX
Each lead has same dimensions
( 2
)
( 1
)
( 3
)
0
0.1
0.16
0.85
1.0MAX
0.7
2.9
2.8
1.9
1.6
0.95
0.4
0.3
0.6
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
4
500
150
55 to +150
8
1
2
Unit
V
A
mW
1W
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
1 Single pulse, PW=1ms
2 Mounted on a 25×25× 0.8mm Ceramic substrate
t
Packaging specifications
2SD2672
T146
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
fT
250
MHz
VCE
=2V, IE=200mA, f=100MHz
BVCBO
15
V
IC
=10A
BVCEO
12
V
IC
=1mA
BVEBO
6
V
IE
=10A
ICBO
100
nA
VCB
=15V
IEBO
100
nA
VEB
=6V
VCE(sat)
70
250
mV
IC
=2A, IB=40mA
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=200mA
Cob
60
pF
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SD2686 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SD2688LS 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SD2695 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2701TL 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD2704KT146 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2672TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2673TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2674TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2675TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2679T100 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2A / 30V BIPOLAR TRANSISTOR 3MPT3 - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS NPN BIPO 30V 2A MPT3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTR 2A 30V
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