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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD1119GR |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | 2SD1119GR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD1119GQ | 3000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1119Q | 3000 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1126(K) | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1126K | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD1127K | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD1119GRL | 功能描述:TRANS NPN 25VCEO 3A MINIP-3 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SD1119Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 3A I(C) | SOT-89 |
| 2SD1119-QR | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1119R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SD1119-R | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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