參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC6026MFV-Y
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： VESM, 2-1L1A, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 254K
代理商： 2SC6026MFV-Y
2SC6026MFV
2005-06-28
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6026MFV
General-Purpose Amplifier Applications
High voltage and high current
: VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max)
Excellent hFE linearity :
hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.)
High hFE
: hFE = 120~400
Complementary to 2SA2154MFV
Lead (Pb) - free
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
60
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
150
mA
Base current
IB
30
mA
Collector power dissipation
PC
150*
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55~150
°C
* : Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6mm)
Mount Pad Dimensions (Reference)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-1L1A
Weight: 0.0015 g (typ.)
VESM
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
1
2
3
0.80 ± 0.05
0.
32
±
0.0
5
0.
22
±
0.
05
0.
8±
0.
05
0.4
1.2 ± 0.05
1.
2±
0
.05
0.
13
±
0.
05
0
.5
±
0.
05
1
0.
4
0.5
0.45
0.4
1.15
0.45
0.4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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