參數(shù)資料
型號： 2SC5787
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： M13, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： 2SC5787
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR NEC RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
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11/29/2001
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NE894M13
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
137e-18
MJC
0.24
BF
129
XCJC
0.3
NF
0.9992
CJS
0
VAF
22.4
VJS
0.75
IKF
2.8
MJS
0
ISE
229e-15
FC
0.55
NE
2.5
TF
5e-12
BR
81.7
XTF
0.05
NR
0.9944
VTF
0.5
VAR
1.9
ITF
0.005
IKR
0.018
PTF
0
ISC
227e-18
TR
1.0e-9
NC
1.17
EG
1.11
RE
0.75
XTB
0
RB
5
XTI
3
RBM
3
KF
117e-15
IRB
0.005
AF
1.34
RC
6
CJE
0.68e-12
VJE
0.92
MJE
0.26
CJC
0.16e-12
VJC
0.64
(1) Gummel-Poon Model
SCHEMATIC
Parameters
NE894M13
CCB
0.01 pF
CCE
0.4 pF
LB
0.3 nH
LE
0.42 nH
CCBPKG
0.05 pF
CCEPKG
0.05 pF
LBX
0.05 nH
LCX
0.05 nH
LEX
0.05 nH
ADDITIONAL PARAMETERS
MODEL TEST CONDITIONS
Frequency:
0.1 to 10 GHz
Bias:
VCE = 0.5 V to 2 V, IC = 0.5 mA to 20 mA
Date:
11/2001
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS(1)
Base
Emitter
Collector
LBPKG
0.05 nH
LB
0.3 nH
LEPKG
0.05 nH
LE
0.42 nH
LCPKG
0.05 nH
CCBPKG
0.05 pF
CCB
0.01 pF
CCE
0.4 pF
CCEPKG
0.05 pF
Q1
NONLINEAR MODEL
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PDF描述
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2SC5800-T1FB-A L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5801 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5808TP 2500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5808TP-FA 2500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SC57880PA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC57880QA 功能描述:TRANS NPN PWR AMP 60VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5793-YD 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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2SC5810(TE12L,F) 功能描述:MOSFET Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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