參數(shù)資料
型號： 2SC5787
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： M13, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： 2SC5787
NE894M13
NPN SILICON TRANSISTOR
NEW MINIATURE M13 PACKAGE:
– Small transistor outline
– 1.0 X 0.5 X 0.5 mm
– Low profile / 0.50 mm package height
– Flat lead style for better RF performance
IDEAL FOR > 3 GHz OSCILLATORS
LOW NOISE, HIGH GAIN
LOW Cre
UHSO 25 GHz PROCESS
FEATURES
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)
PACKAGE OUTLINE M13
PART NUMBER
NE894M13
EIAJ1 REGISTERED NUMBER
2SC5787
PACKAGE OUTLINE
M13
SYMBOLS
PARAMETERS AND CONDITIONS
UNITS
MIN
TYP
MAX
fT
Gain Bandwidth at VCE = 1 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
GHz
17
20
–
|S21E|2
Insertion Power Gain at VCE = 1 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
dB
11
13
–
|NF
Noise Figure at VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz, ZS = ZOPT
dB
–
1.4
2.5
Cre
Reverse Transfer Capacitance3 at VCB = 0.5 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
pF
–
0.22
0.30
ICBO
Collector Cutoff Current at VCB = 5 V, IE = 0
nA
–
100
IEBO
Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0
nA
–
100
hFE
DC Current Gain2 at VCE = 1 V, IC = 5 mA
50
–
100
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
Notes:
1. Electronic Industrial Association of Japan.
2. Pulsed measurement, pulse width
≤ 350 s, duty cycle ≤ 2 %.
3. Collector to base capacitance when the emitter is grounded
DESCRIPTION
The NE894M13 transistor is designed for oscillator applica-
tions above 3 GHz. The NE894M13 features low voltage, low
current operation, low noise, and high gain. NEC's new low
profile/flat lead style "M13" package is ideal for today's portable
wireless applications.
+0.1
–0.05
+0.1
–0.05
+0.1
–0.05
0.5
3
0.1
1
2
1.0
+0.1
–0.05
+0.1
–0.05
0.3
0.35
0.7
0.15
+0.1
–0.05
0.15
0.2
0.125
0.5±0.05
E
7
Bottom View
1
2
3
California Eastern Laboratories
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PDF描述
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參數(shù)描述
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