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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC3587 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE LOW-NOISE AMPLIFICATION |
| 中文描述： | npn型外延硅晶體管低噪聲放大用于微波 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | 2SC3587 |
4
2SC3587
S PARAMETER
90
100
110
120
130
10
10
-
1
-
1
-
1
0
-
1
0
-
1
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1
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-
1
0
-
9
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8
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-
7
0
-
6
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5
0
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4
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3
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2
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1
0
0
0
0
0
0
0
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08
02
02
02
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M
E
G
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T
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E
E
A
C
T
A
N
C
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C
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M
P
O
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044
00
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00
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A
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F
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O
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F
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R
E
E
S
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0
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0
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0
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1
1
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0
0
0
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1
0
0
0
0
RESTSTANCE COMPONENT
R
Z
O
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
O
W
A
R
D
O
A
D
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A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
O
W
R
R
D
E
N
E
L
A
T
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R
M
E
G
A
T
I
V
E
E
A
C
T
A
N
C
E
O
M
P
O
N
E
N
T
0.2
03
04
05
+X
Z
O
-
J
Z
O
4 GHz
4 GHz
0.5 GHz
0.5 GHz
0
0
0
0
0
0
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0
0
1
1
1
1
2
3
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5
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5
1
S
11e
S
22e
S
11e
, S
22e
FREQUENCY
V
CE
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I
C
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S
21
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°
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°
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°
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°
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CE
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I
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S
12
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°
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°
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= 6 V
I
C
= 10 mA
500 MHz Step
5
0.1
0.05
4 GHz
0.5 GHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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