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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB858 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴(kuò)散PNP晶體管) |
| 中文描述： | 三重?cái)U(kuò)散硅進(jìn)步黨（三倍擴(kuò)散進(jìn)步黨晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SB858 |
2SB857, 2SB858
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1133 and 2SD1134
Outline
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
TO-220AB
123
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Ratings
Item
Symbol
2SB857
2SB858
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
–70
–70
V
Collector to emitter voltage
–50
–60
V
Emitter to base voltage
–5
–5
V
Collector current
–4
–4
A
Collector peak current
–8
–8
A
Collector power dissipation
1
40
40
W
Junction temperature
150
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–45 to +150
–45 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB859 | Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴(kuò)散PNP晶體管) |
| 2SD2300 | Silicon NPN Triple Diffused |
| 2SD2300 | Power Bipolar Transistors |
| 2SB860 | Silicon PNP Triple Diffused |
| 2SB861 | Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴(kuò)散PNP晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB858B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SB858C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SB858C-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SB858D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-220AB |
| 2SB859 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
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