參數(shù)資料
型號： 2SAR512PT100
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 220K
代理商： 2SAR512PT100
2/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.10 - Rev.A
Data Sheet
2SAR512P
Electrical characteristic (Ta = 25
°C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
BVCBO
-30
-
V
IC= -1ｍA
Collector-base breakdown voltage
BVCEO
-30
-
V
IC= -100A
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
-6
-
V
IE= -100A
Collector cut-off current
ICBO
--
-1
A VCB= -30V
Emitter cut-off current
IEBO
--
-1
A VEB= -4V
Collector-emitter staturation voltage
VCE(sat)
-
-200
-400
mV IC= -700mA, IB= -35mA
DC current gain
hFE
200
-
500
-
VCE= -2V, IC= -100mA
Turn-on time
ton
-30
-
ns
Storage time
tstg
-170
-
ns
Fall time
tf
-15
-
ns
*1 Pulsed
*2 See switching time test circuit
pF
VCB= -10V, IE=0A
f=1MHｚ
-
IC= -1A,IB1= -100mA,
IB2=100mA,VCC -10V
Conditions
Parameter
MHz
430
-
VCE= -10V
IE=100mA, f=100MHz
Transition frequency
fT
-
-15
Collector output capacitance
Cob
*1
*2
*1
~_
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PDF描述
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