參數(shù)資料
型號(hào)： 2SAR512PT100
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 2000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPT3, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 220K
代理商： 2SAR512PT100
1/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.10 - Rev.A
Medium Power Transistors (
30V / 2A)
2SAR512P
Structure
Dimensions (Unit : mm)
PNP Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -700mA / -35mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Packaging specifications
Inner circuit (Unit : mm)
Package
Taping
Code
T100
Basic ordering unit (pieces)
1000
2SAR512P
Absolute maximum ratings (Ta = 25
°C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
-30
V
Collector-emitter voltage
VCEO
-30
V
Emitter-base voltage
VEBO
-6
V
DC
IC
-2
A
Pulsed
ICP
-4
A
PD
0.5
W
PD
2W
Junction temperature
Tj
150
°C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
°C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
MPT3
(1)Base
(2)Collector
(3)Emitter
Abbreviated symbol : MB
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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