參數(shù)資料
型號(hào): 2SA2179
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications
中文描述: 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管50V / 13A條高速開關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 51K
代理商: 2SA2179
2SA2179
No. A0199-3/4
--0.4
--0.2
--0.6
--0.8
--1.0
0
0
--4
--2
--6
--8
--10
--12
VCE=--2V
--1.4
--1.2
--14
T7
°
C
2
°
C
-5
°
C
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
VCE(sat) -- IC
IC / IB=50
O
Cob -- VCB
VBE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
VCE(sat) -- IC
Collector Current, IC -- A
IC -- VBE
C
S
B
S
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
fT -- IC
D
Collector Current, IC -- A
G
hFE -- IC
Collector Current, IC -- A
D
Collector Current, IC -- A
C
S
IT10085
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--0.01
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3
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3
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T=75
°
C
25
°
C
-25
°
C
IC / IB=20
IC / IB=20
Ta= --25
°
C
25
°
C
75
°
C
IT10082
IT10084
2
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C
25
°
C
--25
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C
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C
-25
°
C
25
°
C
--10
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5
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5
7
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2
3
IT10118
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C
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100
10
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10
-
1
-0m
-0m
-70mV
VE=-V
3
5
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Ta=25
°
C
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PDF描述
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2SA2181 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 15A High-Speed Switching
2SA2182(Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2182(STA4,Q) 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 230V 1A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2183(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 2A 3-Pin TSM