參數(shù)資料
型號： 2SA2179
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching Applications
中文描述： 進(jìn)步黨硅外延平面晶體管50V / 13A條高速開關(guān)應(yīng)用
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代理商： 2SA2179
2SA2179
No. A0199-2/4
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Ratings
typ
--250
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-ON Time
Storage Time
Fall Time
VCE(sat)
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
IC=--6A, IB=--300mA
IC=--6A, IB=--300mA
IC=--100
μ
A, IE=0A
IC=--1mA, RBE=
∞
IE=--100
μ
A, IC=0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
--500
--1.2
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
--50
--50
--6
80
265
43
Package Dimensions
unit : mm
7508-002
Switching Time Test Circuit
IC -- VCE
-200mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
C
IT10080
0
--2.0
--0.5
--1.0
--1.5
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
IB=0mA
-m
--100mA
--80mA
--20mA
-m
--40mA
--60mA
--120mA
-0
--140mA
--180mA
IT10081
--160mA
0
--1.0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
IB=0mA
-0A
--40mA
--5mA
-m
--10mA
--20mA
--30mA
-60mA
-70mA
-0A
VR
RL
VCC= --25V
VBE=5V
IC=20IB1= --20IB2= --6.7A
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
10.0
3.2
4.5
2.8
1
1
5
1
3
7
2
1.6
1.2
0.7
0.75
2.55
2.55
1
2
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220ML
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PDF描述
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2SA2183(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 50V 2A 3-Pin TSM
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