參數(shù)資料
型號： 2SA2016L-AB3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 120K
代理商： 2SA2016L-AB3-R
2SA2016
PNP PLANAR TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
5 of 6
QW-R208-018.B
T Y PICAL CHARACT ERIS T ICS (Cont.)
C
-2.0
0
-0.8
-1.2
-1.6
-0.4
Collector -to-Emitter Voltage,V
CE
-V
0
-4
-5
-6
-7
-2
-3
-1
-10mA
-1.0
-0.4
Base-to-Emitter Voltage,V
BE
-V
-0.6
-0.8
-0.2
0
-3
-4
-5
-6
-1
-2
0
V
CE
= -2V
D
F
Collector Current,Ic -A
-1.0
2
3 5
2
h
FE
-Ic
-0.01
-0.1
7
5
7
1000
3
I
B
=0
Ic-V
CE
-20mA
-30mA
-40mA
-50mA
-60mA
-70mA
-80mA
-90mA
-100mA
-1.2
-1.4
-7
-8
C
Ic-V
BE
Ta =75
Ta =25
Ta =-25
3 5
2
7
-10
3 5
2
7
2
5
7
100
3
10
V
CE
= -2V
Ta =75
Ta =25
Ta =-25
C
V
C
Collector Current,Ic -A
-1.0
2
3 5
2
V
CE(SAT)
-Ic
-0.01
-0.1
5
3
7
-100
7
3 5
2
7
-10
3 5
2
7
2
5
3
7
-10
-1.0
2
5
3
7
-1000
I
C
/I
B
=20
Ta =75
Ta =-25
Ta =25
100
40
60
80
20
0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.5
1.0
0
120
140
3.5
4.0
Pc -Tc
160
C
Case Temperature,Tc-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA2017 Power Transistor(功率晶體管)
2SA2068E SMALL-SIGNAL TRANSISTOR
2SA2068F SMALL-SIGNAL TRANSISTOR
2SA2068G SMALL-SIGNAL TRANSISTOR
2SA2068 SMALL-SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA2016-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 7A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA2017 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
2SA2018 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Low Frequency Transistor
2SA2018_1 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Low frequency transistor
2SA2018F 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Silicon General Purpose Transistor
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