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參數資料
| 型號： | 2SA2017 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Transistor(功率晶體管) |
| 中文描述： | 功率晶體管（功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | 2SA2017 |
2SA2017
Transistors
Power Transistor (
80V,
4A)
2SA2017
!
Features
1) Low V
CE(sat)
. (Typ. –0.3V at I
C
/I
B
=
2 /
0.2A)
2) Excellent DC current gain characteristics.
3) Pc = 30W (Tc = 25
°
C)
4) Wide SOA (safe operating area).
5) Complements the 2SC5574.
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
-80
-80
-5
-4
-6
30
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A
A(Pulse)
W(Tc = 25
°
C)
°
C
°
C
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
Basic ordering unit (pieces)
2SA2017
TO-220FN
E
-
500
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Min.
80
80
5
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
10
10
1.5
1.5
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
V
Conditions
Collector-emitter breakdown voltage
Collector-base breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
CE(sat)
BV
CEO
h
FE
f
T
Cob
100
-
-
-
12
80
200
-
-
-
MHz
pF
I
C
=
50
μ
A
I
E
=
50
μ
A
V
CB
=
80V
V
EB
=
4V
I
C
/I
B
=
2A/
0.2A
I
C
/I
B
=
2A/
0.2A
V
CE
/I
C
=
4V/
1A
V
CE
=
12V , I
E
= 0.5A
I
C
=
1mA
-
V
CB
=
10V , I
E
= 0A , f = 1MHz
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參數描述 |
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