參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1162-O
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： 2SA1162-O
2SA1162
PNP Silicon
Plastic-Encapsulate
Transistor
Features
Capable of 0.15Watts of Power Dissipation.
Collector-current: 0.15A
Collector-base Voltage: -50V
Operating and storage junction temperature range: -55
to +150
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=-1mAdc, IB=0)
-50
---
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=-100uAdc, IE=0)
-50
---
Vdc
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE=-100uAdc, IC=0)
-5
---
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=-50Vdc, IE=0)
---
-0.1
uAdc
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=-5.0Vdc, IC=0)
---
-0.1
uAdc
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain
(IC=-2.0mAdc, VCE=-6.0Vdc)
70
400
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=-100mAdc, IB=-10mAdc)
---
-0.3
Vdc
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Transistor Frequency
(IC=-1.0mAdc, VCE=-10Vdcz)
80
---
MHz
Cob
Collector Output Capacitance
(VCB=-10Vdc, IE=0, f=1MHz)
---
7
pF
NF
Noise Figure
(VCE=-6Vdc, IC=0.1mA, f=1KHz, Rg=10K
)
---
10
dB
CLASSIFICATION OF HFE(1)
Rank
O
Y
GR
Range
70-140
120-240
200-400
Marking
SO
SY
SG
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 5
2008/01/01
TM
Micro Commercial Components
Case Material: Molded Plastic.
UL Flammability
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1
www.mccsemi.com
1 of 2
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.110
.120
2.80
3.04
B
.083
.098
2.10
2.64
C
.047
.055
1.20
1.40
D
.035
.041
.89
1.03
E
.070
.081
1.78
2.05
F
.018
.024
.45
.60
G
.0005
.0039
.013
.100
H
.035
.044
.89
1.12
J
.003
.007
.085
.180
K
.015
.020
.37
.51
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.079
2.000
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
K
E
B
C
2SA1162-O
2SA1162-Y
2SA1162-GR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1162-Y 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1162 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1162-YTE85L 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1162OTE85L 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1162-OTE85R 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
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參數(shù)描述
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2SA1162-O,LF 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SA1162S-GR,LF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1162S-GR,LF(D 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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