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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1162OTE85L |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 2SA1162OTE85L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1162-OTE85R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1162YTE85R | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1162TE85L | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1163-GR | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SA1163-BL | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1162S-GR,LF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1162S-GR,LF(D | 功能描述:TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 2SA1162S-Y, LF(D | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS PNP 50V 150MA S-MINI |
| 2SA1162S-Y,LF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1162Y | 制造商:TOSHIBA 功能描述:New |
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