參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6661.MOD
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 900 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
封裝： HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 76K
代理商： 2N6661.MOD
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE POWER MOSFET
2N6661
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 3092
Issue 5
Page 3 of 3
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
0.89
(0.035)
max.
12.70
(0.500)
min.
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
dia.
5.08 (0.200)
typ.
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
45°
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
1
2
3
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
TO39 PACKAGE (TO-205AD)
Pin 1 - Source
Pin 2 - Gate
Pin 3 / Case - Drain
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6661B-1 4 ohm, Si, POWER, FET, TO-205AD
2N6661B Si, POWER, FET, TO-205AD
2N6661CSM4-JQR-BG4 0.9 A, 90 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA
2N6661CSM4-JQR-AG4 0.9 A, 90 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA
2N6661CSM4-QR-B 0.9 A, 90 V, 5.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6666 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6667 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6667_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W
2N6667_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors
2N6667G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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