- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄33271 > 2N5485 (VISHAY SILICONIX) UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N5485 |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | 2N5485 |
2N/SST5484 Series
Vishay Siliconix
Document Number: 70246
S-50148—Rev. G, 24-Jan-05
www.vishay.com
7
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
20
0
16
12
8
4
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
Output Conductance vs. Drain Current
10
100 k
10 k
ID = 5 mA
VDS = 10 V
0.1
1
10
TA = 55_C
125_C
VGS(off) = 3 V
ID Drain Current (mA)
f Frequency (Hz)
20
0
16
12
8
4
ID = IDSS
VDS = 10 V
f = 1 kHz
100
1 k
VGS(off) = 3 V
25_C
en
Noise
V
oltage
nV
/
Hz
g os
Output
Conductance
(
S)
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon Technology and
Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
For related documents such as package/tape drawings, part marking, and reliability data, see
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5488 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5488 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N5730 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N5659 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N551 | 200 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5485_D26Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D26Z_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D27Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D74Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D75Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。