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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5485 |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2N5485 |
2N/SST5484 Series
Vishay Siliconix
Document Number: 70246
S-50148—Rev. G, 24-Jan-05
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
VGS Gate-Source Voltage (V)
VGS Gate-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
VGS(off) = 2 V
TA = 55_C
125_C
Transfer Characteristics
TA = 55_C
125_C
VGS(off) = 3 V
25_C
VGS Gate-Source Voltage (V)
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
VGS(off) = 2 V
TA = 55_C
125_C
25_C
VGS Gate-Source Voltage (V)
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
TA = 55_C
125_C
25_C
VGS(off) = 3 V
ID Drain Current (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
0.1
1
10
TA = 25_C
3 V
VGS(off) = 2 V
10
0.1
AV +
gfs RL
1 ) RLgos
Assume VDD = 15 V, VDS = 5 V
RL +
10 V
ID
VGS(off) = 2 V
3 V
10
0
8
6
4
2
0
2
0.4
0.8
1.2
1.6
300
0
240
180
120
60
10
0
8
6
4
2
0
3
0.6
1.2
1.8
2.4
10
0
8
6
4
2
0
2
0.4
0.8
1.2
1.6
10
0
8
6
4
2
0
3
0.6
1.2
1.8
2.4
100
0
80
60
40
20
VDS = 10 V
VDS = 10 V
VDS = 10 V
f = 1 kHz
VDS = 10 V
f = 1 kHz
1
25_C
r DS
(on)
Drain-Source
On-Resistance
(
)
g fs
Forward
T
ransconductance
(mS)
g fs
Forward
T
ransconductance
(mS)
I D
Drain
Current
(mA)
I D
Drain
Current
(mA)
A
V
oltage
Gain
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5488 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5488 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N5730 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N5659 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N551 | 200 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5485_D26Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D26Z_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D27Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D74Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D75Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
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