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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5485 |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-226AA |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 103K |
| 代理商： | 2N5485 |
2N/SST5484 Series
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 70246
S-50148—Rev. G, 24-Jan-05
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
rDS
gos
rDS @ ID = 300 mA, VGS = 0 V
gos @ VDS = 10 V, VGS = 0 V
f = 1 kHz
Drain Current and Transconductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
IDSS
gfs
IDSS @ VDS = 10 V, VGS = 0 V
gfs @ VDS = 10 V, VGS = 0 V
f = 1 kHz
VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage (V)
VDG Drain-Gate Voltage (V)
ID Drain Current (mA)
VDS Drain-Source Voltage (V)
Gate Leakage Current
0.1 mA
IGSS @ 25_C
TA = 25_C
TA = 125_C
IGSS @
125_C
Output Characteristics
Common-Source Forward
Transconductance vs. Drain Current
0.1
1
10
8
0
VGS(off) = 3 V
TA = 55_C
25_C
125_C
0.2 V
0.4 V
0.6 V
0.8 V
1.2 V
1.0 V
VGS = 0 V
0.6 V
0.9 V
1.2 V
1.5 V
1.8 V
VGS = 0 V
0.3 V
10
8
0
6
4
2
20
0
16
12
8
4
0
10
2
4
6
8
100
80
0
60
40
20
500
0
400
300
200
100
0
10
2
4
6
8
012
8
416
20
0.1 pA
1 pA
10 pA
100 pA
1 nA
10 nA
100 nA
6
4
2
10
0
8
6
4
2
010
24
6
8
15
0
12
9
6
3
010
24
6
8
VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage (V)
VDS = 10 V
f = 1 kHz
VGS(off) = 2 V
VGS(off) = 3 V
ID = 5 mA
1 mA
0.1 mA
ID = 5 mA
1 mA
1.4 V
gos
Output
Conductance
(
S)
r DS
(on)
Drain-Source
On-Resistance
(
)
g
fs
Forward
T
ransconductance
(mS)
I DS
S
Saturation
Drain
Current
(mA)
g fs
Forward
T
ransconductance
(mS)
I G
Gate
Leakage
I D
Drain
Current
(mA)
I D
Drain
Current
(mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5488 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5488 | 5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N5730 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N5659 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111 |
| 2N551 | 200 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5485_D26Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D26Z_Q | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D27Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D74Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
| 2N5485_D75Z | 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
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