參數(shù)資料
型號(hào)： 29110BJA
廠商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM
中文描述： 2K X 8 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP24
封裝： CERAMIC, DIP-24
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大小： 145K
代理商： 29110BJA
4
AC Electrical Specifications
V
CC
= 5V
±
10%, T
A
= -40
o
C to +85
o
C (HM-65162S-9, HM-65162B-9, HM65162-9, HM-65162C-9)
SYMBOL
PARAMETER
LIMITS
UNITS
CONDITIONS
HM-65162S-9
HM-65162B-9
HM-65162-9
HM-65162C-9
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
READ CYCLE
(1) TAVAX
Read Cycle Time
55
-
70
-
90
-
90
-
ns
(Notes 1, 3)
(2) TAVQV
Address Access Time
-
55
-
70
-
90
-
90
ns
(Notes 1, 3, 4)
(3) TELQV
Chip Enable Access
Time
-
55
-
70
-
90
-
90
ns
(Notes 1, 3)
(4) TELQX
Chip Enable Output
Enable Time
5
-
5
-
5
-
5
-
ns
(Notes 2, 3)
(5) TGLQV
Output Enable Access
Time
-
35
-
50
-
65
-
65
ns
(Notes 1, 3)
(6) TGLQX
Output Enable Output
Enable Time
5
-
5
-
5
-
5
-
ns
(Notes 2, 3)
(7) TEHQZ
Chip Enable Output
Disable Time
-
35
-
35
-
50
-
50
ns
(Notes 2, 3)
(8) TGHQZ
Output Enable Output
Disable Time
-
30
-
35
-
40
-
40
ns
(Notes 2, 3)
(9) TAVQX
Output Hold From
Address Change
5
-
5
-
5
-
5
-
ns
(Notes 1, 3)
WRITE CYCLE
(10) TAVAX
Write Cycle Time
55
-
70
-
90
-
90
-
ns
(Notes 1, 3)
(11) TELWH
Chip Selection to End of
Write
45
-
45
-
55
-
55
-
ns
(Notes 1, 3)
(12) TAVWL
Address Setup Time
5
-
10
-
10
-
10
-
ns
(Notes 1, 3)
(13) TWLWH
Write Enable Pulse
Width
40
-
40
-
55
-
55
-
ns
(Notes 1, 3)
(14) TWHAX
Write Enable Read
Setup Time
10
-
10
-
10
-
10
-
ns
(Notes 1, 3)
(15) TGHQZ
Output Enable Output
Disable Time
-
30
-
35
-
40
-
40
ns
(Notes 2, 3)
(16) TWLQZ
Write Enable Output
Disable Time
-
30
-
40
-
50
-
50
ns
(Notes 2, 3)
(17) TDVWH
Data Setup Time
25
-
30
-
30
-
30
-
ns
(Notes 1, 3)
(18) TWHDX
Data Hold Time
10
-
10
-
15
-
15
-
ns
(Notes 1, 3)
(19) TWHQX
Write Enable Output
Enable Time
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
(Notes 1, 3)
(20) TWLEH
Write Enable Pulse
Setup Time
45
-
40
-
55
-
55
-
ns
(Notes 1, 3)
(21) TDVEH
Chip Enable Data
Setup Time
25
-
30
-
30
-
30
-
ns
(Notes 1, 3)
(22) TAVWH
Address Valid to End of
Write
45
-
50
-
65
-
65
-
ns
(Notes 1, 3)
NOTES:
1. Input pulse levels: 0 to 3.0V; Input rise and fall times: 5ns (max); Input and output timing reference level: 1.5V; Output load: 1 TTL gate
equivalent and C
L
= 50pF (min) - for C
L
greater than 50pF, access time is derated by 0.15ns per pF.
2. Tested at initial design and after major design changes.
3. V
CC
= 4.5 and 5.5V.
4. TAVQV = TELQV + TAVEL.
HM-65162
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PDF描述
29104BJA 2K x 8 Asynchronous CMOS Static RAM
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