型號: | 1T399 |
元件分類: | 變?nèi)荻O管 |
英文描述: | 29.5 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
封裝: | M-235, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 48K |
代理商: | 1T399 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1T403 | VHF BAND, 34.61 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
1T405A | VHF BAND, 32.96 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
1T417 | 8.6 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
1U4 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1W02 | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1T399M20T8A | 制造商:SONY 功能描述:* |
1T3G | 功能描述:整流器 1A,200V,Std GLASS Pass Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
1T3G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 |
1T3G A1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18,軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:3,000 |
1T3G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 200V 1A 2-Pin TS-1 T/R |