- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄91051 > 1T399 29.5 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 1T399 |
| 元件分類： | 變?nèi)荻O管 |
| 英文描述： | 29.5 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 封裝： | M-235, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 1T399 |
—1—
E97454A82-TE
Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license by
any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating the
operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25 °C)
Reverse voltage
VR
34
V
Operating temperature
Topr
–20 to +75
°C
Storage temperature
Tstg
–65 to +150
°C
Description
The 1T399 is a variable capacitance diode
designed for the electronic tuning of wide-band
CATV tuners, and it has a super miniature package.
Features
Super miniature package
Small series resistance 0.75
Max. (f=470 MHz)
Large capacitance ratio 11.7
Typ. (C2/C25)
18.0
Typ. (C1/C28)
Small leak current
10 nA Max. (VR=28 V)
Capacitance deviation in a matching group:
within 2 %
Applications
Electronic tuning of wide-band CATV tuners
Structure
Silicon epitaxial planar-type diode
Variable Capacitance Diode
M-235
1T399
Electrical Characteristics
(Ta=25 °C)
Item
Reverse current
Diode capacitance
Capacitance ratio
Series resistance
Capacitance deviation in a
matching group
Symbol
IR
C2
C25
C2/C25
C25/C28
rs
C
Conditions
VR=28 V
VR=2 V, f=1 MHz
VR=25 V, f=1 MHz
CD=14 pF, f=470 MHz
VR=2 to 25 V, f=1 MHz
Min.
Typ.
Max.
Unit
10
nA
29.50
35.50
pF
2.53
2.93
pF
11.0
11.7
1.03
0.75
2%
For the availability of this product, please contact the sales office.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1T403 | VHF BAND, 34.61 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T405A | VHF BAND, 32.96 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1T417 | 8.6 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 1U4 | 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1W02 | 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1T399M20T8A | 制造商:SONY 功能描述:* |
| 1T3G | 功能描述:整流器 1A,200V,Std GLASS Pass Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1T3G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1T3G A1G | 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1T3G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 200V 1A 2-Pin TS-1 T/R |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。