參數(shù)資料
型號(hào)： 1T399
元件分類： 變?nèi)荻O管
英文描述： 29.5 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
封裝： M-235, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 48K
代理商： 1T399
—2—
1T399
Diode capacitance vs. Reverse voltage
1
2
5
10
20
50
VR – Reverse voltage (V)
C
–
D
io
d
e
c
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
Ta = 25°C
Reverse current vs. Ambient temperature
100
1
10
–20
Ta – Ambient temperature [°C]
IR
–
R
e
v
e
rs
e
c
u
rr
e
n
t
(p
A
)
0
20
40
60
Forward voltage vs. Ambient temperature
–20
0
20
40
60
80
Ta – Ambient temperature (°C)
V
F
–
F
o
rw
a
rd
v
o
lt
a
g
e
(V
)
IF = 1mA
Reverse voltage vs. Ambient temperature
–20
0
20
40
60
Ta – Ambient temperature (°C)
V
R
–
R
e
v
e
rs
e
v
o
lt
a
g
e
(V
)
50
45
40
35
IR = 10A
VR = 28V
0.80
0.70
0.60
0.50
100
50
20
10
1
2
80
5
Example of Representative Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1T403 VHF BAND, 34.61 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1T405A VHF BAND, 32.96 pF, 34 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1T417 8.6 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1U4 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1W02 1 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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參數(shù)描述
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1T3G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1T3G A1G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T-18，軸向 供應(yīng)商器件封裝:TS-1 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1T3G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 200V 1A 2-Pin TS-1 T/R
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