參數(shù)資料
型號： 1N5818-13
廠商： DIODES INC
元件分類： 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： 1N5818-13
DS23001 Rev. 6 - 2
2 of 2
1N5817-1N5819
www.diodes.com
I
,
A
V
ERAGE
O
UTPUT
CURRENT
(A)
(A
V)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
40
60
80
100
120
140 150
T , LEAD TEMPERATURE (C)
L
Fig. 1 Forward Current Derating Curve
Single Pulse Half-Wave
60 Hz Resistive or Inductive Load
10
100
1000
0.1
1.0
10
100
C,
T
O
T
A
L
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
T
V , REVERSE VOLTAGE (V)
R
Fig. 4 Typical Total Capacitance
T = 25C
j
f=1MHz
V
= 50mV p-p
sig
0
5
10
15
20
25
1
10
100
I
,
PEAK
F
O
R
W
ARD
S
URGE
C
URRENT
(A)
FSM
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
JEDEC Method
0.1
1.0
10
30
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
I
,
NST
A
NT
ANE
O
US
F
O
R
W
ARD
C
URRENT
(A)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
1N5817
1N5818
1N5819
T = 25C
j
Pulse Width = 300 ms
2% Duty Cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5818RL 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5819RL 1 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5818 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5818 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
1N5818 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
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參數(shù)描述
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1N5818-B 功能描述:肖特基二極管與整流器 Vr/30V Io/1A BULK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復(fù)時(shí)間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel
1N5818B-G 制造商:COMCHIP 制造商全稱:Comchip Technology 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers
1N5818-BP 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:1N5818 Series 1 A 30 V Through-Hole Schottky Barrier Rectifier - DO-41
1N5818-E 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 40V Forward Current 1.0A
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