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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5818 |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | DO-41, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 1N5818 |
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
@TA
=90 C
1N5817 thru 1N5819
FEATURES
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
wheeling,and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
1N5818
30
21
30
1N5817
20
14
20
1N5819
40
28
40
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
1.0
25
0.450
TJ
Operating Temperature Range
-55 to +125
C
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to +150
C
Typical Thermal Resistance (Note 2)
R0JA
80
C/W
CJ
Typical Junction Capacitance (Note 1)
110
pF
IR
@TJ=100 C
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ=25 C
1
10
mA
V
A
V
UNIT
V
All Dimensions in millimeter
Max.
Min.
DO-41
Dim.
A
D
C
B
25.4
5.20
-
4.10
0.71
2.00
2.70
0.86
DO-41
A
C
D
A
B
CHARACTERISTICS
SYMBOL
Maximum forward Voltage at 3.0A DC
VF
0.550
0.600
0.900
0.875
0.750
V
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 20 to 40 Volts
FORWARD CURRENT - 1.0 Ampere
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV. 2, 01-Dec-2000, KDHC01
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5819-1S | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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參數(shù)描述 |
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| 1N5818 A0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:55pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標準包裝:3,000 |
| 1N5818 B0G | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:550mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:55pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 125°C 標準包裝:1,000 |
| 1N5818 BK | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:550mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 30V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:2,000 |
| 1N5818 R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Schottky 30V 1A 2-Pin DO-41 T/R 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode Schottky 30V 1A 2-Pin DO-41 T/R |
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