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參數(shù)資料
| 型號： | 10FWJ2CZ47M |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | 12-10C1A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | 10FWJ2CZ47M |
10FWJ2CZ47M
2001-07-13
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 10FWJ2CZ47M | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10GWJ2C48C | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10JL2CZ47 | 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10KF40 | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10KF40B | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 10FWJ2CZ47M(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Diode Schottky 30V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 10FWJ2CZ47M_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:LOW FORWARD VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 10-FY06BIA050SG-M523E18 | 制造商:Vincotech 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| 10-FY07BIA041MC-M528-E58 | 制造商:Vincotech 功能描述:SILICON CARBIDE POWER TRANSISTORS/MODULES |
| 10-FY12NMA080SH-M427F | 制造商:Vincotech 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
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