參數資料
型號： μPD42S18165L
廠商： NEC Corp.
英文描述： 16M-bit CMOS dynamic RAMs(16M位CMOS 動態(tài)RAM)
中文描述： 1,600位CMOS動態(tài)存儲器（1,600位的CMOS動態(tài)內存）
文件頁數： 35/48頁
文件大?。?/td> 468K
代理商： ΜPD42S18165L
μ
PD42S18165L, 4218165L
35
t
RCS
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LCAS
V
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OEA
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OEH
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
U I/O
L I/O
Hyper Page Mode (EDO) Read Modify Write Cycle
Remark
In the hyper page mode (EDO), read, write and read modify write cycles are available for each of the
consecutive CAS cycles within the same RAS cycle.
相關PDF資料
PDF描述
μPD4218165 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM)
μPD42S18165 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM)
μPD42280 2 M-Bit Field Buffer(2M位現場緩存)
μPD4264400 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動態(tài)RAM)
μPD4265400 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數
參數描述
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