參數資料
型號： μPD42S18165L
廠商： NEC Corp.
英文描述： 16M-bit CMOS dynamic RAMs(16M位CMOS 動態(tài)RAM)
中文描述： 1,600位CMOS動態(tài)存儲器（1,600位的CMOS動態(tài)內存）
文件頁數： 31/48頁
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代理商： ΜPD42S18165L
μ
PD42S18165L, 4218165L
31
Hyper Page Mode (EDO) Early Write Cycle
Remarks 1.
OE: Don’t care
2.
In the hyper page mode (EDO), read, write and read modify write cycles are available for each of
the consecutive CAS cycles within the same RAS cycle.
RAS
t
RASP
V
IH–
V
IL–
UCAS
LCAS
V
IH–
V
IL–
Address
V
IH–
V
IL–
WE
V
IH–
V
IL–
U I/O
L I/O
V
IH–
V
IL–
t
RP
t
RHCP
t
RSH
t
HPC
t
CPN
t
CSH
t
HCAS
t
CP
t
HCAS
t
HCAS
t
CP
t
RAL
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CAH
Col.
Col.
Row
t
ASR
t
RAH
t
WCS
t
WCS
t
RCD
t
RAD
t
ASC
Col.
t
WCH
t
WCH
t
WCH
Data in
Data in
Data in
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
WCS
t
ASC
t
CRP
相關PDF資料
PDF描述
μPD4218165 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM)
μPD42S18165 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM)
μPD42280 2 M-Bit Field Buffer(2M位現場緩存)
μPD4264400 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動態(tài)RAM)
μPD4265400 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數
參數描述
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