參數(shù)資料
型號(hào): μPD42S18165
廠商: NEC Corp.
英文描述: 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 1,600位CMOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(1,600的CMOS動(dòng)態(tài)內(nèi)存)
文件頁(yè)數(shù): 33/48頁(yè)
文件大?。?/td> 462K
代理商: ΜPD42S18165
μ
PD42S18165, 4218165
33
Hyper Page Mode (EDO) Byte Early Write Cycle
RASV
IH–
V
IL–
t
RASP
UCASV
IH–
V
IL–
L I/OV
IH–
V
IL–
t
RP
t
RHCP
t
RSH
t
HCAS
t
HPC
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
HCAS
t
CPN
U I/OV
IH–
V
IL–
Address
Row
Col.
Col.
Col.
V
IH–
V
IL–
t
ASR
t
RAD
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
WCS
t
CAH
t
RAL
t
ASC
WEV
IH–
V
IL–
t
WCS
t
WCH
t
WCS
t
WCH
t
WCH
LCASV
IH–
V
IL–
t
HCAS
t
CP
t
CRP
t
CP
t
MRH
Data in
Data in
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
Data in
t
DS
t
DH
Remarks 1.
OE: Don’t care
2.
In the hyper page mode (EDO), read, write and read modify write cycles are available for each of
the consecutive CAS cycles within the same RAS cycle.
3.
This cycle can be used to control either UCAS or LCAS only. Or, it can be used to control UCAS
or LCAS simultaneously, or at random.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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μPD4265400 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4264800 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4265800 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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