參數(shù)資料
型號(hào)： μPD42S18165
廠商： NEC Corp.
英文描述： 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 1,600位CMOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（1,600的CMOS動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 12/48頁(yè)
文件大?。?/td> 462K
代理商： ΜPD42S18165
μ
PD42S18165, 4218165
12
Read Cycle
Parameter
Symbol
t
RAC
= 50 ns
t
RAC
= 60 ns
t
RAC
= 70 ns
Unit
Notes
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Access time from RAS
t
RAC
–
50
–
60
–
70
ns
1
Access time from CAS
t
CAC
–
13
–
15
–
18
ns
1
Access time from column address
t
AA
–
25
–
30
–
35
ns
1
Access time from OE
t
OEA
–
13
–
15
–
18
ns
Column address lead time referenced to RAS
t
RAL
25
–
30
–
35
–
ns
Read command setup time
t
RCS
0
–
0
–
0
–
ns
Read command hold time referenced to RAS
t
RRH
0
–
0
–
0
–
ns
2
Read command hold time referenced to CAS
t
RCH
0
–
0
–
0
–
ns
2
Output buffer turn-off delay time from OE
t
OEZ
0
10
0
13
0
15
ns
3
CAS hold time to OE
t
CHO
5
–
5
–
5
–
ns
4
Notes 1.
For read cycles, access time is defined as follows:
Input conditions
Access time
Access time from RAS
t
RAD
≤
t
RAD (MAX.)
and t
RCD
≤
t
RCD (MAX.)
t
RAC (MAX.)
t
RAC (MAX.)
t
RAD
> t
RAD (MAX.)
and t
RCD
≤
t
RCD (MAX.)
t
AA (MAX.)
t
RAD
+ t
AA (MAX.)
t
RCD
> t
RCD (MAX.)
t
CAC (MAX.)
t
RCD
+ t
CAC (MAX.)
t
RAD (MAX.)
and t
RCD (MAX.)
are specified as reference points only; they are not restrictive operating
parameters. They are used to determine which access time (t
RAC
, t
AA
or t
CAC
) is to be used for finding
out when output data will be available. Therefore, the input conditions t
RAD
≥
t
RAD (MAX.)
and t
RCD
≥
t
RCD
(MAX.)
will not cause any operation problems.
2.
Either t
RCH (MIN.)
or t
RRH (MIN.)
should be met in read cycles.
3.
t
OEZ(MAX.)
defines the time when the output achieves the condition of Hi-Z and is not referenced to V
OH
or V
OL
.
4.
WE: inactive (in read cycle)
CAS: inactive, OE: active ····· t
CHO
is effective.
CAS, OE: active ····· t
OCH
is effective.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD42280 2 M-Bit Field Buffer(2M位現(xiàn)場(chǎng)緩存)
μPD4264400 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4265400 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4264800 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4265800 64 M-Bit Dynamic RAM(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PD4306 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (600 Amperes / Up to 2400 Volts)
PD430607 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 600V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
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