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參數(shù)資料
| 型號： | μPD42S16405 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1,600位CMOS動態(tài)存儲器（1,600的CMOS動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 34/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | ΜPD42S16405 |
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μ
PD42S16405, 4216405
34
Recommended Soldering Conditions
The following conditions (see tables below and next page) must be met for soldering conditions of the
μ
PD42S16405, 4216405.
For more details, refer to our document “SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING TECHNOLOGY MANUAL”
(C10535E).
Please consult with our sales offices in case other soldering process is used, or in case the soldering is done
under different conditions.
Types of Surface Mount Device
μ
PD42S16405G3-7JD, 4216405G3-7JD: 26-pin plastic TSOP (II) (300 mil)
Soldering process
Soldering conditions
Infrared ray reflow
Peak temperature of package surface: 235 C or lower,
Reflow time: 30 seconds or less (210 C or higher),
Number of reflow processes: MAX. 3
Exposure limit: 7 days
Note
(10 hours pre-baking is required at 125 C afterwards)
VPS
Peak temperature of package: 215 C or lower,
Reflow time: 40 seconds or less (200 C or higher),
Number of reflow processes: MAX. 3
Exposure limit :7 days
Note
(10 hours pre-baking is required at 125 C afterwards)
Partial heating method
Terminal temperature: 300 C or lower,
Time: 3 seconds or lower (Per side of the package).
Note
Exposure limit before soldering after dry-pack package is opened.
Storage conditions: 25 C and relative humidity at 65 % or less.
Caution
Do not apply more than one soldering method at any one time, except for “Partial heating
method”.
Symbol
IR35-107-3
VP15-107-3
————
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| μPD42S17405L | 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM) |
| μPD4217405 | 16 M-Bit Dynamic RAM(16M 動態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PD4307 | 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (700 Amperes / Up to 1800 Volts) |
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