參數(shù)資料
型號(hào)： μPD42S16405
廠商： NEC Corp.
英文描述： 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 1,600位CMOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（1,600的CMOS動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 13/40頁
文件大?。?/td> 319K
代理商： ΜPD42S16405
μ
PD42S16405, 4216405
13
Write Cycle
Parameter
Symbol
t
RAC
= 50 ns
t
RAC
= 60 ns
t
RAC
= 70 ns
Unit Notes
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
WE hold time referenced to CAS
t
WCH
7
–
10
–
10
–
ns
1
WE pulse width
t
WP
8
–
10
–
10
–
ns
1
WE lead time referenced to RAS
t
RWL
10
–
10
–
12
–
ns
WE lead time referenced to CAS
t
CWL
8
–
10
–
12
–
ns
WE setup time
t
WCS
0
–
0
–
0
–
ns
2
OE hold time
t
OEH
0
–
0
–
0
–
ns
Data-in setup time
t
DS
0
–
0
–
0
–
ns
3
Data-in hold time
t
DH
7
–
10
–
10
–
ns
3
Notes 1.
t
WP (MIN.)
is applied to late write cycles or read modify write cycles. In early write cycles, t
WCH (MIN.)
should
be met.
2.
If t
WCS
≥
t
WCS (MIN.)
, the cycle is an early write cycle and the data out will remain Hi-Z through the entire
cycle.
3.
t
DS (MIN.)
and t
DH (MIN.)
are referenced to the CAS falling edge in early write cycles. In late write cycles and
read modify write cycles, they are referenced to the WE falling edge.
Read Modify Write Cycle
Parameter
Symbol
t
RAC
= 50 ns
t
RAC
= 60 ns
t
RAC
= 70 ns
Unit
Note
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Read modify write cycle time
t
RWC
107
–
133
–
157
–
ns
RAS to WE delay time
t
RWD
64
–
77
–
89
–
ns
1
CAS to WE delay time
t
CWD
27
–
32
–
37
–
ns
1
Column address to WE delay time
t
AWD
39
–
47
–
54
–
ns
1
Note 1.
If t
WCS
≥
t
WCS (MIN.)
, the cycle is an early write cycle and the data out will remain Hi-Z through the entire cycle.
If t
RWD
≥
t
RWD (MIN.)
, t
CWD
≥
t
CWD (MIN.)
, t
AWD
≥
t
AWD (MIN.)
and t
CPWD
≥
t
CPWD (MIN.)
, the cycle is a read modify write
cycle and the data out will contain data read from the selected cell. If neither of the above conditions is
met, the state of the data out is indeterminate.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD4217405L 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD42S17405L 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4217405 16 M-Bit Dynamic RAM(16M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD42S17405 16 M-Bit Dynamic RAM(16M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4217805L 3.3V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT,EDOM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PD430 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC
PD4306 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (600 Amperes / Up to 2400 Volts)
PD430607 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 600V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
PD4307 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (700 Amperes / Up to 1800 Volts)
PD430807 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 800V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*