參數(shù)資料
型號(hào)： μPD42S16405
廠商： NEC Corp.
英文描述： 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 1,600位CMOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（1,600的CMOS動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 31/40頁(yè)
文件大?。?/td> 319K
代理商： ΜPD42S16405
μ
PD42S16405, 4216405
31
Test Mode Set Cycle (WE, CAS Before RAS Refresh Cycle)
RAS
V
IH–
V
IL–
CAS
V
IH–
V
IL–
WE
V
IH–
V
IL–
t
CSR
t
CHR
t
WSR
t
WHR
t
RPC
t
CRP
t
RC
t
RAS
t
RP
Remark
Address, OE: Don’t care I/O: Hi-Z
Test Mode
By using the test mode, the test time can be reduced. The reason for this is that, the memory emulates the
×
16-bit organization during test mode. Don’t care about the input levels of the CAS input A0, A1.
(1) Setting the mode
Executing the test mode cycle (WE, CAS before RAS refresh cycle) sets the test mode.
(2) Write/read operation
When either a “0” or a “1” is written to the input pin in test mode, this data is written to 16 bits of memory cell.
Next, when the data is read from the output pin at the same address, the cell can be checked.
Output = “1”: Normal write (all memory cells)
Output = “0”: Abnormal write
(3) Refresh
Refresh in the test mode must be performed with the RAS / CAS cycle or with the WE, CAS before RAS refresh
cycle. The WE, CAS before RAS refresh cycle use the same counter as the CAS before RAS refresh’s internal
counter.
(4) Mode Cancellation
The test mode is cancelled by executing one cycle of RAS only refresh cycle or CAS before RAS refresh cycle.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD4217405L 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD42S17405L 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4217405 16 M-Bit Dynamic RAM(16M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD42S17405 16 M-Bit Dynamic RAM(16M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4217805L 3.3V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT,EDOM)
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