參數(shù)資料
型號(hào)： μPA840TC
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN Silicon RF Twin Transistor(NPN射頻晶體管)
中文描述： NPN硅射頻雙晶體管（npn型射頻晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： ΜPA840TC
Data Sheet P14556EJ1V0DS00
4
μ
PA840TC
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
T
T
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
T
T
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
Q2
Q1
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
0
0
50
100
150
100
180
230
2 Elements in total
Per
Element
(Q1)
0
0
50
100
150
100
200
230
2 Elements in total
Free Air
Free Air
Per Element
(Q2)
10
20
30
40
50
0.5
1.0
V
CE
= 3 V
0
0
10
20
0.5
1.0
0
0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
2
3
4
5
6
I
B
= 160 A
I
B
= 140 A
I
B
= 120 A
I
B
= 100 A
I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
0
0
5
10
15
20
25
1
2
3
4
5
6
I
B
= 160 A
I
B
= 140 A
I
B
= 120 A
I
B
= 100 A
I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
V
CE
= 3 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPB1508GV 3.0 GHz input, High Division Silicon Prescaler ICs(3.0GHz 定標(biāo)器)
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μPB1510GV 3 GHz Input Divided By 4 Prescale(3 GHz 定標(biāo)器)
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參數(shù)描述
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PA84M 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Linear OpAmp 200V/uS M Grade RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
PA84M/883 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 Linear OpAmp 200V/uS M Grade RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
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