參數(shù)資料
型號： μPA840TC
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN Silicon RF Twin Transistor(NPN射頻晶體管)
中文描述： NPN硅射頻雙晶體管（npn型射頻晶體管）
文件頁數(shù)： 3/16頁
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代理商： ΜPA840TC
Data Sheet P14556EJ1V0DS00
3
μ
PA840TC
(2) Q2
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
CB
= 10 V, I
E
= 0
0.8
μ
A
Emitter Cutoff Current
I
EBO
V
EB
= 1 V, I
C
= 0
0.8
μ
A
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA
Note 1
70
150
Gain Bandwidth Product
f
T
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
4.5
7.0
GHz
Feedback Capacitance
C
re
V
CB
= 3 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Note 2
0.9
pF
Insertion Power Gain
|
S
21e
|
2
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
10.0
12.0
dB
Noise Figure
NF
V
CE
= 3 V, I
C
= 7 mA, f = 1 GHz
1.4
2.7
dB
Notes 1.
Pulse Measurement: PW
≤
350
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
2.
Collector to base capacitance when measured with capacitance meter (automatic balanced bridge
method), with emitter connected to guard pin of capacitance meter.
h
FE
CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
89
h
FE
Value of Q1
75 to 150
h
FE
Value of Q2
70 to 150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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