參數(shù)資料
型號(hào)： ZXTCM322
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 178K
代理商： ZXTCM322
ZXTCM322
ISSUE 2 - JUNE 2002
4
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
100
190
V
I
C
=100 A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
50
65
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
7.5
8.2
V
I
E
=100 A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
25
nA
V
CB
=80V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
25
nA
V
EB
=6V
Collector Emitter Cut-Off Current
I
CES
25
nA
V
CES
=40V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
10
70
145
115
225
270
20
100
200
220
300
320
mV
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=0.1A, I
B
=10mA*
I
C
=1A, I
B
=50mA*
I
C
=1A, I
B
=10mA*
I
C
=2A, I
B
=50mA*
I
C
=3A, I
B
=100mA*
I
C
=4A, I
B
=200mA*
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
1.00
1.05
V
I
C
=4A, I
B
=200mA*
Base-Emitter Turn-On Voltage
V
BE(on)
0.94
1.00
V
I
C
=4A, V
CE
=2V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
200
300
200
100
400
450
400
225
40
I
C
=10mA, V
CE
=2V*
I
C
=0.2A, V
CE
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
I
C
=6A, V
CE
=2V*
Transition Frequency
f
T
100
165
MHz
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
Output Capacitance
C
obo
12
20
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
170
ns
V
CC
=10V, I
=1A
I
B1
=I
B2
=10mA
Turn-Off Time
t
(off)
750
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZXTCM322TA TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
ZXTCM322TC TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
ZXTD3M832
ZXTDBM832
ZXTDBM832TA TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 20V V(BR)CEO | 4.5A I(C) | LLCC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZXTCM322TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V PNP 2x2 MLP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTCM322TC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 4A I(C) | LLCC
ZXTD09N50DE6 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
ZXTD09N50DE6TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZXTD09N50DE6TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT Dual 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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